DXT5551-13, Транзистор
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9000839884
- Артикул
- DXT5551-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Вес, г
- 0.05
- Длина
- 4.6 mm
- Серия
- DXT5551
- Высота
- 1.6 mm
Цена по запросу
(от 67 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT 1W 160V
Технические параметры
| Вес, г | 0.05 |
| Длина | 4.6 mm |
| Серия | DXT5551 |
| Высота | 1.6 mm |
| Ширина | 2.6 mm |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-89-3 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 1000 mW |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 180 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 160 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 600 mA |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 200 mV |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 30 at 50 mA, 5 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 300 MHz |