Моя заявка (0)

DXT3906-13, 50nA 40V 1W 100@10mA,1V 200mA 250MHz 400mV@50mA,5mA PNP -55°C~+150°C@(Tj) SOT-89-3 BIpolar TransIstors - BJT ROHS

DXT3906-13, 50nA 40V 1W 100@10mA,1V 200mA 250MHz 400mV@50mA,5mA PNP -55°C~+150°C@(Tj) SOT-89-3 BIpolar TransIstors - BJT ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8069857625
Артикул
DXT3906-13
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Series:
DXT3906
Вес, г
0.09
Technology:
Si
Цена по запросу
(от 68,10 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Series:DXT3906
Вес, г0.09
Technology:Si
Subcategory:Transistors
КорпусSOT-89/TO-243
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-89-3
Product Category:Bipolar Transistors-BJT
Структураpnp
Transistor Polarity:PNP
Pd - Power Dissipation:1 W
Gain Bandwidth Product fT:250 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO:5 V
Collector- Base Voltage VCBO:40 V
Maximum DC Collector Current:200 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
DC Collector/Base Gain hfe Min:30 at-100 mA, -1 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:40 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:400 mV
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2500
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц250

Техническая документация