Моя заявка (0)

DXT3904-13, 40V 1W 100@10mA,1V 200mA NPN SOT-89-3 BIpolar TransIstors - BJT

DXT3904-13, 40V 1W 100@10mA,1V 200mA NPN SOT-89-3 BIpolar TransIstors - BJT

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8074777068
Артикул
DXT3904-13
Бренд
DIODES INC.
Вес, г
0.22
Длина
4.5 mm
Серия
DXT3904
Высота
1.5 mm
Цена по запросу
(от 79,12 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT 1000mW 40Vceo

Технические параметры

Вес, г0.22
Длина4.5 mm
СерияDXT3904
Высота1.5 mm
Ширина2.48 mm
Transistor TypeNPN
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Collector Current (Ic)200mA
Power Dissipation (Pd)1W
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Transition Frequency (fT)300MHz
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокSOT-89-3
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)100@10mA, 1V
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)40V
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности1000 mW
Размер фабричной упаковки2500
Напряжение эмиттер-база (VEBO)6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)300mV@50mA, 5mA
Напряжение коллектор-база (VCBO)60 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.40 V
Максимальный постоянный ток коллектора200 mA
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер300 mV
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)30 at 100 mA, 1 V
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)300 MHz

Техническая документация