Моя заявка (0)

DXT2011P5-13, 20nA 100V 3.2W 100@2A,2V 6A 130MHz 180mV@5A,500mA NPN -55°C~+150°C@(Tj) PowerDI-5 BIpolar TransIstors - BJT ROHS

DXT2011P5-13, 20nA 100V 3.2W 100@2A,2V 6A 130MHz 180mV@5A,500mA NPN -55°C~+150°C@(Tj) PowerDI-5 BIpolar TransIstors - BJT ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062566338
Артикул
DXT2011P5-13
Бренд
DIODES INC.
Вес, г
0.22
Серия
DXT201
Структура
npn
Вид монтажа
SMD/SMT
Цена по запросу
(от 119,46 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT BIPOLAR TRANS,NPN 100V,6A

Технические параметры

Вес, г0.22
СерияDXT201
Структураnpn
Вид монтажаSMD/SMT
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокPowerDI-5
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности740 mW
Размер фабричной упаковки5000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)7 V
Непрерывный коллекторный ток6 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)200 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)6
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.100 V
Максимальный постоянный ток коллектора10 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер220 mV
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц130
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)130 MHz

Техническая документация