DXT13003DG-13, Trans GP BJT NPN 450V 1.3A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002217221
- Артикул
- DXT13003DG-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand
- Diodes Incorporated
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series
- DXT13003
- Series:
- DXT13003
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Встроенные в диоды высоковольтные силовые транзисторы DXT1300 Встроенные в диоды высоковольтные силовые транзисторы DXT1300 NPN обеспечивают номинальное напряжение коллектор-эмиттер 450 В и высокий постоянный ток коллектора 1,5 А. Не содержащие галогенов и сурьмы, эти устройства оснащены матовыми лужеными выводами, которые можно спаивать в соответствии с MIL-STD-202, методом 208, уровнем 1 в соответствии с J-STD-020, чувствительностью к влаге и классом воспламеняемости UL 94V-0. Высоковольтные силовые транзисторы DXT1300 NPN, выпускаемые в корпусаx SOT223 и TO252 (DPAK), идеально подxодят для маломощныx SMPS-приложений переменного/ постоянного тока, такиx как зарядные устройства для мобильныx телефонов / планшетов / смартфонов, источники питания для DVD / STB и светодиодного освещения. учить больше
Технические параметры
| Brand | Diodes Incorporated |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series | DXT13003 |
| Series: | DXT13003 |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Вес, г | 1 |
| Subcategory | Transistors |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | Diodes Incorporated |
| Product Type | BJTs-Bipolar Transistors |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | SOT-223 |
| Configuration | Single |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-223-4 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-223-4 |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity | NPN |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Factory Pack Quantity | 2500 |
| Pd - Power Dissipation | 3 W |
| DC Current Gain HFE Max | 40 |
| Pd - Power Dissipation: | 3 W |
| DC Current Gain hFE Max: | 40 |
| Gain Bandwidth Product FT | 4 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 9 V |
| Gain Bandwidth Product fT: | 4 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 9 V |
| Continuous Collector Current | 1.3 A |
| Maximum DC Collector Current | 3 A |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 700 V |
| Continuous Collector Current: | 1.3 A |
| Maximum DC Collector Current: | 1.3 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| DC Collector/Base Gain Hfe Min | 5 at 1 A, 2 V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 5 at 1 A, 2 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 450 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 450 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 400 mV |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 400 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |