DTDG14GPT100, Транзистор: NPN
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014890094
- Артикул
- DTDG14GPT100
- Бренд
- Rohm
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.29.0075
- Package
- Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
- Вес, г
- 0.13
Цена по запросу
(от 39,39 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения DIGITAL NPN 60V 1A
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0075 |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Вес, г | 0.13 |
| Длина | 4.5 mm |
| Серия | DTDG14GP |
| Power - Max | 2W |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| REACH Status | REACH Affected |
| Высота | 1.5 mm |
| Ширина | 2.5 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-243AA |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Simulation Models | http://rohmfs.rohm.com/en/products/library/spice/d |
| Структура | npn |
| Base Product Number | DTDG14 -> |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Frequency - Transition | 80MHz |
| Other Related Documents | http://rohmfs.rohm.com/en/techdata_basic/transisto |
| Supplier Device Package | MPT3 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-89-3 |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 500mA |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA (ICBO) |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 300 @ 500mA, 2V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 500 mW (1/2 W) |
| Другие названия товара № | DTDG14GP |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 1 A |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Пиковый постоянный ток коллектора | 1000 mA |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 300 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 300 |