DTC943TUBTL, Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, Single NPN, 20 V, 400 mA, 4.7 kohm
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8000916239
- Артикул
- DTC943TUBTL
- Бренд
- Rohm
- Вес, г
- 0.032
- Серия
- DTC943TUB
- Power Dissipation
- 200мВт
- Структура
- npn
Цена по запросу
(от 41 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения NPN Digital Transtr w/built in resistors
Технические параметры
| Вес, г | 0.032 |
| Серия | DTC943TUB |
| Power Dissipation | 200мВт |
| Структура | npn |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| DC Current Gain hFE Min | 820hFE |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | UMT-3F-3 |
| Continuous Collector Current | 400мА |
| Канальный режим | Enhancement |
| Collector Emitter Voltage Max NPN | 20В |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
| Количество Выводов | 3 Вывода |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Корпус РЧ Транзистора | SOT-323FL |
| Полярность Транзистора | Single NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Резистор На входе Базы R1 | 4.7кОм |
| Другие названия товара № | DTC943TUB |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-323FL |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 40 V |
| Максимальная рабочая частота | 35 MHz |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 20В |
| Непрерывный коллекторный ток | 400 mA |
| Непрерывный Коллекторный Ток Ic | 400мА |
| Типичное входное сопротивление | 4.7 kOhms |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Полярность Цифрового Транзистора | Одиночный NPN |
| Пиковый постоянный ток коллектора | 400 mA |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 20 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 400 mA |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 820 |