Моя заявка (0)

DTC143TM3T5G, Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R

DTC143TM3T5G, Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001171683
Артикул
DTC143TM3T5G
Бренд
ON Semiconductor***
Brand:
onsemi
Series
-
Packaging
Cut Tape(CT)
Вес, г
0.05
Цена по запросу
(от 7,10 ₽)
Минимальный заказ: 9678 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Оснащенные резисторами биполярные транзисторы, также известные как “Цифровые транзисторы” или “Транзисторы с сопротивлением смещения”, включают в себя один или два встроенныx резистора.

Технические параметры

Brand:onsemi
Series-
PackagingCut Tape(CT)
Вес, г0.05
Part StatusActive
Power - Max260mW
ManufacturerON Semiconductor
Subcategory:Transistors
Manufacturer:onsemi
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:Digital Transistors
Configuration:Single
Package / CaseSOT-723
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-723-3
Transistor TypeNPN-Pre-Biased
Base Part NumberDTC143
Product Category:Digital Transistors
Структураnpn
Resistor - Base (R1)4.7 kOhms
Transistor Polarity:NPN
Factory Pack Quantity:8000
Pd - Power Dissipation:260 mW
Supplier Device PackageSOT-723
Typical Input Resistor:4.7 kOhms
DC Current Gain hFE Max:160
Peak DC Collector Current:100 mA
Continuous Collector Current:100 mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector (Ic) (Max)100mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
DC Collector/Base Gain hfe Min:160, 350
Current - Collector Cutoff (Max)500nA
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:50 V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce160 @ 5mA, 10V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)0.1

Техническая документация