Моя заявка (0)

DTC124EET1G, Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R

DTC124EET1G, Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001221136
Артикул
DTC124EET1G
Бренд
ON Semiconductor***
Case
SC75
Mounting
SMD
Вес, г
1
Длина
1.6 mm
Цена по запросу
(от 7 ₽)
Минимальный заказ: 4400 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50V BRT NPN

Технические параметры

CaseSC75
MountingSMD
Вес, г1
Длина1.6 mm
СерияDTC124EE
Current gain60…100
ManufacturerONSEMI
Polarisationbipolar
Высота0.75 mm
Ширина0.8 mm
Base resistor22kΩ
Kind of packagereel, tape
Collector current0.1A
Power dissipation0.2W
Kind of transistorBRT
Type of transistorNPN
Структураnpn
Base-emitter resistor22kΩ
Вид монтажаSMD/SMT
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Collector-emitter voltage50V
Торговая маркаON Semiconductor
Упаковка / блокSC-75-3
Категория продуктаБиполярные транзисторы - С предварительно заданным
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности200 mW (1/5 W)
Размер фабричной упаковки3000
Непрерывный коллекторный ток0.1 A
Типичное входное сопротивление22 kOhms
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Пиковый постоянный ток коллектора100 mA
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)0.1
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.50 V
Типичный коэффициент деления резистора1
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.60
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)60

Техническая документация