Моя заявка (0)
DTC123TET1G, Транзистор: NPN

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8056210651
Артикул
DTC123TET1G
Бренд
ON Semiconductor***
Вес, г
0.1
Серия
DTC123TE
Power Dissipation
300мВт
Структура
npn
Цена по запросу
(от 40 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения NPN DIGITAL TRANSISTOR

Технические параметры

Вес, г0.1
СерияDTC123TE
Power Dissipation300мВт
Структураnpn
Вид монтажаSMD/SMT
DC Current Gain hFE Min160hFE
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаON Semiconductor
Упаковка / блокSC-75
Continuous Collector Current100мА
Collector Emitter Voltage Max NPN50В
Категория продуктаБиполярные транзисторы - С предварительно заданным
Количество Выводов3 Вывода
Монтаж транзистораSurface Mount
Корпус РЧ ТранзистораSC-75
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности200 mW
Резистор На входе Базы R12.2кОм
Размер фабричной упаковки3000
Стиль Корпуса ТранзистораSC-75
Напряжение Коллектор-Эмиттер50В
Непрерывный коллекторный ток100 mA
Непрерывный Коллекторный Ток Ic100мА
Типичное входное сопротивление2.2 kOhms
Максимальная Рабочая Температура150°C
Полярность Цифрового ТранзистораОдиночный NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.50 V
Максимальный постоянный ток коллектора100 mA
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)160

Техническая документация