Моя заявка (0)

DTC123JMT2L,Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, BRT, Single NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm

DTC123JMT2L,Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, BRT, Single NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8227533686
Артикул
DTC123JMT2L
Бренд
Rohm
Brand
ROHM Semiconductor
Width
0.8 mm
Height
0.5 mm
Length
1.2 mm
Цена по запросу
(от 32 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения DGTL NPN 50V 100MA

Технические параметры

BrandROHM Semiconductor
Width0.8 mm
Height0.5 mm
Length1.2 mm
SeriesDTC123JM
PackagingCut Tape or Reel
Вес, г0.624
Длина1.2 mm
СерияDTC123JM
SubcategoryTransistors
Unit Weight0.022011 oz
ManufacturerROHM Semiconductor
Product TypeBJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Высота0.5 mm
Ширина0.8 mm
ConfigurationSingle
Mounting StyleSMD/SMT
Package / CaseVMT-3
Part # AliasesDTC123JM
Product CategoryBipolar Transistors - Pre-Biased
Структураnpn
Transistor PolarityNPN
Factory Pack Quantity8000
Вид монтажаSMD/SMT
Pd - Power Dissipation150 mW
Typical Input Resistor2.2 kOhms
Typical Resistor Ratio21
DC Current Gain HFE Max80
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Peak DC Collector Current100 mA
Торговая маркаROHM Semiconductor
Упаковка / блокVMT-3
Continuous Collector Current100 mA
Maximum Operating Temperature+ 150 C
Minimum Operating Temperature- 55 C
DC Collector/Base Gain Hfe Min80
Collector- Emitter Voltage VCEO Max50 V
Категория продуктаБиполярные транзисторы - С предварительно заданным
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности150 mW
Другие названия товара №DTC123JM
Размер фабричной упаковки8000
Непрерывный коллекторный ток100 mA
Типичное входное сопротивление2.2 kOhms
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Пиковый постоянный ток коллектора100 mA
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)100 mA
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.50 V
Типичный коэффициент деления резистора21
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.80
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)80
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В50

Техническая документация