DTC123JET1G, Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, Single NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8608735457
- Артикул
- DTC123JET1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- PPAP
- No
- Type
- NPN
- EU RoHS
- Compliant
- Mounting
- Surface Mount
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор биполярный NPN DTC123JET1G от ONSEMI представляет собой высококачественный компонент в корпусе SC75, предназначенный для монтажа SMD. С характеристиками тока коллектора 0,1 А и напряжением коллектор-эмиттер 50 В, а также мощностью 0,23 Вт, этот транзистор обеспечивает надежную и эффективную работу в различных областях применения. Особенно подходит для использования в цифровой электронике, управляющих цепях и силовой электронике. Код товара DTC123JET1G гарантирует легкость идентификации и заказа для инженеров и разработчиков. Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN Монтаж SMD Ток коллектора, А 0.1 Напряжение коллектор-эмиттер, В 50 Мощность, Вт 0.23 Корпус SC75
Технические параметры
| PPAP | No |
| Type | NPN |
| EU RoHS | Compliant |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 0.03 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Package Type | SOT-416(SC-75) |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Width | 0.8 |
| Package Length | 1.6 |
| Transistor Type | 1 NPN-Pre Biased |
| EDA / CAD Models | DTC123JET1G by Ultra Librarian |
| Supplier Package | SOT-416 |
| Структура | npn |
| Standard Package Name | SOT |
| Collector Current (Ic) | 100mA |
| Power Dissipation (Pd) | 200mW |
| Typical Input Resistor | 2.2 kΩ |
| Typical Resistor Ratio | 0.047 |
| Minimum DC Current Gain | 80@5mA@10V |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 300 mW |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 80@5mA, 10V |
| Maximum DC Collector Current | 100 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Typical Input Resistor (kOhm) | 2.2 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 300 |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 500nA |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 50 V |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 50 |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
| Maximum Continuous DC Collector Current (mA) | 100 |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.25@1mA@10mA |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 250mV@1mA, 10mA |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 100 mA |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 50 |