DTC123EET1G, 8@5mA,10V 250mV@10mA,5mA 1 NPN - Pre Biased 200mW 100mA 50V 500nA SC-75-3 Digital Transistors
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017645969
- Артикул
- DTC123EET1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Вес, г
- 0.03
- Subcategory:
- Transistors
- Manufacturer:
- onsemi
Цена по запросу
(от 22 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
8@ 5 мА, 10 В 1 NPN - Предварительно смещенный 200 МВт 100 мА 50 В SC-75-3 Цифровыx транзистора ROHS
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Вес, г | 0.03 |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | SC-75-3 |
| Product Type: | Digital Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type | 1 NPN-Pre Biased |
| Product Category: | Digital Transistors |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Collector Current (Ic) | 100mA |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Pd - Power Dissipation: | 200 mW |
| Typical Input Resistor: | 2.2 kOhms |
| Typical Resistor Ratio: | 1 |
| DC Current Gain hFE Max: | 80 |
| Peak DC Collector Current: | 100 mA |
| Continuous Collector Current: | 100 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| DC Collector/Base Gain hFE Min: | 80 |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 50 V |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |