Моя заявка (0)

DTC115EM3T5G, 80@5mA,10V 1 NPN - Pre BIased 260mW 100mA 50V 500nA SOT-723 DIgItal TransIstors

DTC115EM3T5G, 80@5mA,10V 1 NPN - Pre BIased 260mW 100mA 50V 500nA SOT-723 DIgItal TransIstors

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025174734
Артикул
DTC115EM3T5G
Бренд
ON Semiconductor***
Series
-
Packaging
Cut Tape(CT)
Вес, г
0.02
Длина
1.2 mm
Цена по запросу
(от 7,18 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50V BRT NPN

Технические параметры

Series-
PackagingCut Tape(CT)
Вес, г0.02
Длина1.2 mm
СерияDTC115EM3
Part StatusActive
Power - Max260mW
ManufacturerON Semiconductor
Высота0.5 mm
Ширина0.8 mm
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseSOT-723
Transistor TypeNPN-Pre-Biased
Base Part NumberDTC115
Структураnpn
Resistor - Base (R1)100 kOhms
Вид монтажаSMD/SMT
Supplier Device PackageSOT-723
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаON Semiconductor
Упаковка / блокSOT-723-3
Resistor - Emitter Base (R2)100 kOhms
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic250mV @ 300ВµA, 10mA
Current - Collector (Ic) (Max)100mA
Current - Collector Cutoff (Max)500nA
Категория продуктаБиполярные транзисторы - С предварительно заданным
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce80 @ 5mA, 10V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности260 mW
Размер фабричной упаковки8000
Непрерывный коллекторный ток0.1 A
Типичное входное сопротивление100 kOhms
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Пиковый постоянный ток коллектора100 mA
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.50 V
Типичный коэффициент деления резистора1
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.80
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)80, 150

Техническая документация