Моя заявка (0)

DTC114YM3T5G, 80@5mA,10V 1 NPN - Pre BIased 260mW 100mA 50V 500nA SOT-723-3 DIgItal TransIstors

DTC114YM3T5G, 80@5mA,10V 1 NPN - Pre BIased 260mW 100mA 50V 500nA SOT-723-3 DIgItal TransIstors

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8059917794
Артикул
DTC114YM3T5G
Бренд
ON Semiconductor***
HTS
8541.29.00.95
Type
NPN
EU RoHS
Compliant
Military
No
Цена по запросу
(от 17,82 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Оснащенные резисторами биполярные транзисторы, также известные как “Цифровые транзисторы” или “Транзисторы с сопротивлением смещения”, включают в себя один или два встроенныx резистора.

Технические параметры

HTS8541.29.00.95
TypeNPN
EU RoHSCompliant
MilitaryNo
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count3
AutomotiveNo
Lead ShapeFlat
Вес, г0.02
PCB changed3
Part StatusActive
ConfigurationSingle
Package Width0.8
Package Height0.5
Package Length1.2
Supplier PackageSOT-723
Структураnpn
Standard Package NameSOT-723
Typical Resistor Ratio0.21
Minimum DC Current Gain80@5mA@10V
Minimum DC Current Gain Range50 to 120
Typical Input Resistor (kOhm)10
Maximum Power Dissipation (mW)600
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Количество Выводов3 Вывода
Монтаж транзистораSurface Mount
Operating Junction Temperature (°C)-55 to 150
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)50
Корпус РЧ ТранзистораSOT-723
Резистор База-эмиттер R247кОм
Maximum Continuous DC Collector Current (mA)100
Резистор На входе Базы R110кОм
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)0.25@0.3mA@10mA
Напряжение Коллектор-Эмиттер50В
Непрерывный Коллекторный Ток Ic100мА
Соотношение Сопротивления, R1 / R20.21соотношение
Полярность Цифрового ТранзистораОдиночный NPN
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный

Техническая документация