DTC114TET1G, Транзистор: NPN; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 200мВт; SC75; 10кОм
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017548834
- Артикул
- DTC114TET1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- HTS
- 8541.21.00.95
- Type
- NPN
- EU RoHS
- Compliant
- Military
- No
Цена по запросу
(от 10 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения SS BR XSTR NPN 50V
Технические параметры
| HTS | 8541.21.00.95 |
| Type | NPN |
| EU RoHS | Compliant |
| Military | No |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 0.1 |
| Длина | 1.6 mm |
| Серия | DTC114TE |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Package Type | SOT-416(SC-75) |
| Высота | 0.75 mm |
| Ширина | 0.8 mm |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Width | 0.8 |
| Package Height | 0.75 |
| Package Length | 1.6 |
| Transistor Type | NPN |
| Supplier Package | SOT-416 |
| Power Dissipation | 300мВт |
| Структура | npn |
| Standard Package Name | SOT |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Typical Input Resistor | 10 kΩ |
| Typical Resistor Ratio | None |
| DC Current Gain hFE Min | 160hFE |
| Minimum DC Current Gain | 160@5mA@10V |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 300 mW |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-416-3 |
| Continuous Collector Current | 100мА |
| Maximum DC Collector Current | 100 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Typical Input Resistor (kOhm) | 10 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 300 |
| Collector Emitter Voltage Max NPN | 50В |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 50 V |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
| Количество Выводов | 3 Вывода |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 50 |
| Корпус РЧ Транзистора | SC-75 |
| Полярность транзистора | NPN |
| Maximum Continuous DC Collector Current (mA) | 100 |
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Резистор На входе Базы R1 | 10кОм |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.25@1mA@10mA |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | SC-75 |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 50В |
| Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
| Непрерывный Коллекторный Ток Ic | 100мА |
| Типичное входное сопротивление | 10 kOhms |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Полярность Цифрового Транзистора | Одиночный NPN |
| Пиковый постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 160 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 50 |