Моя заявка (0)
DTC114EMT2L, Транзистор: NPN

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8024646191
Артикул
DTC114EMT2L
Бренд
Rohm
I(C)
0.1 A
RoHS
Details
Brand
ROHM Semiconductor
Width
0.8 mm
Цена по запросу
(от 9 ₽)
Минимальный заказ: 500 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: NPN Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN

Технические параметры

I(C)0.1 A
RoHSDetails
BrandROHM Semiconductor
Width0.8 mm
Height0.5 mm
Length1.2 mm
P(tot)0.15 W
SeriesDTC114EMT
V(CBO)50 V
V(CEO)50 V
PackageVMT3
PackagingReel
Pin Count3
AutomotiveNO
Вес, г0.1
RoHS StatusRoHS-conform
ManufacturerROHM Semiconductor
Package TypeSC-105AA
PolarisationNPN
ConfigurationSingle
Mounting TypeSurface Mount
Mounting StyleSMD/SMT
Package / CaseVMT-3
Transistor Type1 NPN-Pre Biased
Product CategoryBipolar Transistors-Pre-Biased
Структураnpn
Transistor PolarityNPN
Base-Emitter Resistor47kΩ
Factory Pack Quantity8000
Collector Current (Ic)50mA
Pd - Power Dissipation150 mW
Power Dissipation (Pd)150mW
Typical Input Resistor47 kΩ
Typical Resistor Ratio1
Minimum DC Current Gain30
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation150 mW
Peak DC Collector Current100 mA
Transition Frequency (fT)250MHz
Number of Elements per Chip1
Continuous Collector Current50 mA
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)30@5mA, 5V
Maximum DC Collector Current100 mA
Maximum Operating Temperature+150 °C
DC Collector/Base Gain hfe Min30
Collector Cut-Off Current (Icbo)500nA
Maximum Collector Emitter Voltage50 V
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)50V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)300mV@500uA, 10mA

Техническая документация