DTC114EM3T5G, Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001284536
- Артикул
- DTC114EM3T5G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 3.32
- Длина
- 1.2 mm
- Серия
- DTC114EM3
- Высота
- 0.5 mm
Цена по запросу
(от 18 ₽)
Минимальный заказ: 742 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50V BRT NPN
Технические параметры
| Вес, г | 3.32 |
| Длина | 1.2 mm |
| Серия | DTC114EM3 |
| Высота | 0.5 mm |
| Ширина | 0.8 mm |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-723-3 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 260 mW |
| Размер фабричной упаковки | 8000 |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.1 A |
| Типичное входное сопротивление | 10 kOhms |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Пиковый постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Типичный коэффициент деления резистора | 1 |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 35 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 35, 60 |