Моя заявка (0)
DTC114EET1G, Транзистор: NPN

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014793026
Артикул
DTC114EET1G
Бренд
ON Semiconductor***
PPAP
No
Type
NPN
EU RoHS
Compliant
Mounting
Surface Mount
Цена по запросу
(от 14 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Trans Digital BJT NPN 50 В 100 мА 300 МВт 3-контактный SOT-416 T/R

Технические параметры

PPAPNo
TypeNPN
EU RoHSCompliant
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count3
AutomotiveNo
Lead ShapeGull-wing
Вес, г0.02
PCB changed3
Part StatusActive
Package TypeSOT-416(SC-75)
ConfigurationSingle
Mounting TypeSurface Mount
Transistor TypeNPN
Supplier PackageSOT-416
Process TechnologyBipolar
Структураnpn
Standard Package NameSOT
Typical Input Resistor10 kΩ
Typical Resistor Ratio1
Minimum DC Current Gain35 5mA 10V
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation338 mW
Number of Elements per Chip1
Maximum DC Collector Current100 mA
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum DC Current Gain Range30 to 50
Typical Input Resistor (kOhm)10
Maximum Power Dissipation (mW)300
Maximum Collector Emitter Voltage50 V
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Количество Выводов3 Вывода
Монтаж транзистораSurface Mount
Operating Junction Temperature (°C)-55 to 150
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)50
Корпус РЧ ТранзистораSOT-416
Резистор База-эмиттер R210кОм
Maximum Continuous DC Collector Current (mA)100
Резистор На входе Базы R110кОм
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)0.25 0.3mA 10mA
Напряжение Коллектор-Эмиттер50В
Непрерывный Коллекторный Ток Ic100мА
Соотношение Сопротивления, R1 / R21соотношение
Полярность Цифрового ТранзистораОдиночный NPN
Стандарты Автомобильной ПромышленностиAEC-Q101

Техническая документация