Моя заявка (0)

DTC023JMT2L, 80@5mA,10V 150mV@5mA,500uA 1 NPN - Pre Biased 250MHz 150mW 100mA 50V SOT-723 Digital Transistors

DTC023JMT2L, 80@5mA,10V 150mV@5mA,500uA 1 NPN - Pre Biased 250MHz 150mW 100mA 50V SOT-723 Digital Transistors

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062476169
Артикул
DTC023JMT2L
Бренд
Rohm
Brand:
ROHM Semiconductor
Вес, г
0.01
Subcategory:
Transistors
Channel Mode:
Enhancement
Цена по запросу
(от 12,37 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

80 при 5 мА, 10 В 1 NPN - Предварительно смещенные цифровые транзисторы мощностью 150 МВт 100 мА 50 В SOT-723 ROHS

Технические параметры

Brand:ROHM Semiconductor
Вес, г0.01
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:ROHM Semiconductor
Package/Case:VMT-3
Product Type:Digital Transistors
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Output Voltage:70 mV
Part # Aliases:DTC023JM
Transistor Type1 NPN-Pre Biased
Product Category:Digital Transistors
Структураnpn
Transistor Polarity:NPN
Collector Current (Ic)100mA
Factory Pack Quantity:8000
Power Dissipation (Pd)150mW
Pd - Power Dissipation:150 mW
Typical Input Resistor:2.2 kOhms
Typical Resistor Ratio:21
Transition Frequency (fT)250MHz
Peak DC Collector Current:100 mA
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)80@5mA, 10V
Maximum Operating Frequency:250 MHz
Continuous Collector Current:100 mA
Maximum DC Collector Current:100 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
DC Collector/Base Gain hFE Min:80
Collector Cut-Off Current (Icbo)-
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:50 V
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)50V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)150mV@5mA, 500uA
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц250

Техническая документация