Моя заявка (0)
DTC014YUBTL, Транзистор: NPN

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014890068
Артикул
DTC014YUBTL
Бренд
Rohm
Brand
ROHM Semiconductor
Series
DTC014YUB
Packaging
Cut Tape or Reel
Вес, г
0.1
Цена по запросу
(от 2,50 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения NPN Digital Transtr w/built in resistors

Технические параметры

BrandROHM Semiconductor
SeriesDTC014YUB
PackagingCut Tape or Reel
Вес, г0.1
СерияDTC014YUB
SubcategoryTransistors
Channel ModeEnhancement
ManufacturerROHM Semiconductor
Product TypeBJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
ConfigurationSingle
Mounting StyleSMD/SMT
Output Voltage50 mV
Package / CaseUMT-3
Part # AliasesDTC014YUB
Product CategoryBipolar Transistors - Pre-Biased
Структураnpn
Transistor PolarityNPN
Factory Pack Quantity3000
Вид монтажаSMD/SMT
Pd - Power Dissipation200 mW
Typical Input Resistor10 kOhms
Typical Resistor Ratio4.7
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Peak DC Collector Current100 mA
Maximum Operating Frequency250 MHz
Торговая маркаROHM Semiconductor
Упаковка / блокUMT-3
Continuous Collector Current100 mA
Maximum DC Collector Current100 mA
Maximum Operating Temperature+ 150 C
Канальный режимEnhancement
DC Collector/Base Gain Hfe Min80
Collector- Emitter Voltage VCEO Max50 V
Категория продуктаБиполярные транзисторы - С предварительно заданным
Выходное напряжение50 mV
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности200 mW
Другие названия товара №DTC014YUB
Размер фабричной упаковки3000
Максимальная рабочая частота250 MHz
Непрерывный коллекторный ток100 mA
Типичное входное сопротивление10 kOhms
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Пиковый постоянный ток коллектора100 mA
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.50 V
Максимальный постоянный ток коллектора100 mA
Типичный коэффициент деления резистора4.7
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)80

Техническая документация