Моя заявка (0)

DTB114ECHZGT116, 56@50mA,5V 300mV@2.5mA,50mA PNP-Pre-Biased+diode 200MHz 200mW 500mA SST-3 Digital Transistors

DTB114ECHZGT116, 56@50mA,5V 300mV@2.5mA,50mA PNP-Pre-Biased+diode 200MHz 200mW 500mA SST-3 Digital Transistors

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017581565
Артикул
DTB114ECHZGT116
Бренд
Rohm
Вес, г
0.06
Структура
pnp
Вид монтажа
SMD/SMT
Collector Current (Ic)
500mA
Цена по запросу
(от 91 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения PNP SOT-23 10kO Input Resist

Технические параметры

Вес, г0.06
Структураpnp
Вид монтажаSMD/SMT
Collector Current (Ic)500mA
Power Dissipation (Pd)200mW
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаROHM Semiconductor
Упаковка / блокSOT-23-3
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)56@50mA, 5V
Категория продуктаБиполярные транзисторы - С предварительно заданным
Выходное напряжение100 mV
Полярность транзистораPNP
Pd - рассеивание мощности200 mW
Другие названия товара №DTB114ECHZG
Размер фабричной упаковки3000
Непрерывный коллекторный ток500 mA
Типичное входное сопротивление10 kOhms
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичный коэффициент деления резистора1
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц200
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)56

Техническая документация