DTA123EM3T5G, Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005369015
- Артикул
- DTA123EM3T5G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Packaging
- Reel
- Вес, г
- 1
- Длина
- 1.2 mm
- Серия
- DTA123EM3
Цена по запросу
(от 23,92 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50V BRT PNP
Технические параметры
| Packaging | Reel |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 1.2 mm |
| Серия | DTA123EM3 |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Высота | 0.5 mm |
| Ширина | 0.8 mm |
| Configuration | Single |
| Package / Case | D2PAK |
| Product Category | Digital Transistors |
| Power Dissipation | 260 mW |
| Transistor Polarity | PNP |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Typical Input Resistor | 2.2 K Ohm |
| Typical Resistor Ratio | 0.1 |
| DC Current Gain hFE Min | 80 @ 5mA @ 10V |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Peak DC Collector Current | 100 mA |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-723-3 |
| Continuous Collector Current | 0.1 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 50 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 260 mW |
| Размер фабричной упаковки | 8000 |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.1 A |
| Типичное входное сопротивление | 2.2 kOhms |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Пиковый постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Типичный коэффициент деления резистора | 0.1 |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 80 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 8, 15 |