DTA114YET1G, Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001070961
- Артикул
- DTA114YET1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- PPAP
- No
- Type
- PNP
- Brand
- ON Semiconductor
- Series
- DTA114YE
Цена по запросу
(от 7 ₽)
Минимальный заказ: 5000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Trans Digital BJT PNP 50 В 100 мА 300 МВт 3-контактный SOT-416 T/R
Технические параметры
| PPAP | No |
| Type | PNP |
| Brand | ON Semiconductor |
| Series | DTA114YE |
| EU RoHS | Compliant |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 0.03 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Subcategory | Transistors |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Product Type | BJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased |
| Корпус | SC-75-3 |
| Configuration | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SC-75-3 |
| Product Category | Bipolar Transistors-Pre-Biased |
| Supplier Package | SOT-416 |
| Transistor Polarity | PNP |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Standard Package Name | SOT |
| Pd - Power Dissipation | 200 mW |
| Typical Input Resistor | 10 kOhms |
| Typical Resistor Ratio | 0.21 |
| DC Current Gain HFE Max | 80 |
| Minimum DC Current Gain | 80 5mA 10V |
| Мощность, мВт | 200 |
| Peak DC Collector Current | 100 mA |
| Continuous Collector Current | 0.1 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Typical Input Resistor (kOhm) | 10 |
| DC Collector/Base Gain Hfe Min | 80 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 300 |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 50 V |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 50 |
| Рабочая температура, °C | -55…+150 |
| Maximum Continuous DC Collector Current (mA) | 100 |
| Ток коллектор-эмиттер, мА | 100 |
| Резистор База-Эмиттер R2, кОм | 47 |
| Резистор на входе Базы R1, кОм | 10 |
| Коэффициент усиления по току, Max | - |
| Коэффициент усиления по току, Min | 80 |
| Коэффициент усиления по току, Typ | 140 |
| Напряжение коллектор-эмиттер, В | 50 |