DTA114WUAT106, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW Surface Mount UMT3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8063727402
- Артикул
- DTA114WUAT106
- Бренд
- Rohm
- Вес, г
- 0.02
- Длина
- 2 mm
- Серия
- DTA114WUA
- Высота
- 0.8 mm
Цена по запросу
(от 22,33 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения PNP 50V 100MA
Технические параметры
| Вес, г | 0.02 |
| Длина | 2 mm |
| Серия | DTA114WUA |
| Высота | 0.8 mm |
| Ширина | 1.25 mm |
| Power Dissipation | 200мВт |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| DC Current Gain hFE Min | 24hFE |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | UMT-3 |
| Continuous Collector Current | 100мА |
| Collector Emitter Voltage Max PNP | 50В |
| Линейка Продукции | DTA114W Series |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
| Количество Выводов | 3 Вывода |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Корпус РЧ Транзистора | SOT-323 |
| Полярность транзистора | PNP |
| Резистор База-эмиттер R2 | 4.7кОм |
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Резистор На входе Базы R1 | 10кОм |
| Другие названия товара № | DTA114WUA |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-323 |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | -50В |
| Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
| Непрерывный Коллекторный Ток Ic | -100мА |
| Соотношение Сопротивления, R1 / R2 | 2.13соотношение |
| Типичное входное сопротивление | 10 kOhms |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Полярность Цифрового Транзистора | Одиночный PNP |
| Пиковый постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Типичный коэффициент деления резистора | 0.47 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 24 |