Моя заявка (0)

DTA114TU3T106, 100@1mA,5V 300mV@1mA,10mA One PNP - Pre-Biased 250MHz 200mW 100mA 50V 500nA UMT3 Digital Transistors

DTA114TU3T106, 100@1mA,5V 300mV@1mA,10mA One PNP - Pre-Biased 250MHz 200mW 100mA 50V 500nA UMT3 Digital Transistors

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070088781
Артикул
DTA114TU3T106
Бренд
Rohm
Вес, г
0.06
Power Dissipation
200мВт
Вид монтажа
SMD/SMT
DC Current Gain hFE Min
100hFE
Цена по запросу
(от 16,23 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Digital Trans w/Res UMT3

Технические параметры

Вес, г0.06
Power Dissipation200мВт
Вид монтажаSMD/SMT
DC Current Gain hFE Min100hFE
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаROHM Semiconductor
Упаковка / блокSOT-323-3
Continuous Collector Current100мА
Канальный режимEnhancement
Collector Emitter Voltage Max PNP50В
Линейка ПродукцииDTA114T Series
Категория продуктаБиполярные транзисторы - С предварительно заданным
Количество Выводов3 Вывода
Монтаж транзистораSurface Mount
Корпус РЧ ТранзистораSOT-323
Полярность транзистораPNP
Pd - рассеивание мощности200 mW
Резистор На входе Базы R110кОм
Размер фабричной упаковки3000
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-323
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Максимальная рабочая частота250 MHz
Напряжение Коллектор-Эмиттер-50В
Непрерывный коллекторный ток100 mA
Непрерывный Коллекторный Ток Ic-100мА
Типичное входное сопротивление10 kOhms
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Полярность Цифрового ТранзистораОдиночный PNP
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.50 V
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)100

Техническая документация