Моя заявка (0)

DTA113ZUAT106, Транзистор: PNP, биполярный, BRT, 50В, 0,1А, 200мВт, SOT323, R1: 1кОм

DTA113ZUAT106, Транзистор: PNP, биполярный, BRT, 50В, 0,1А, 200мВт, SOT323, R1: 1кОм

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8015794341
Артикул
DTA113ZUAT106
Бренд
Rohm
Brand:
ROHM Semiconductor
Вес, г
0.03
Subcategory:
Transistors
Корпус
sot-323
Цена по запросу
(от 28 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: PNP, биполярный, BRT, 50В, 0,1А, 200мВт, SOT323, R1: 1кОм

Технические параметры

Brand:ROHM Semiconductor
Вес, г0.03
Subcategory:Transistors
Корпусsot-323
Manufacturer:ROHM Semiconductor
Package/Case:UMT-3
Product Type:Digital Transistors
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:DTA113ZUA
Transistor TypeOne PNP-Pre-Biased
Product Category:Digital Transistors
Структураpnp
Transistor Polarity:PNP
Collector Current (Ic)100mA
Factory Pack Quantity:3000
Pd - Power Dissipation200mW
Power Dissipation (Pd)200mW
Pd - Power Dissipation:200 mW
Typical Input Resistor:1 kOhms
Typical Resistor Ratio:10
Transition Frequency (fT)250MHz
Peak DC Collector Current:100 mA
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)33@5mA, 5V
Maximum DC Collector Current100mA
Continuous Collector Current:-100 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
DC Collector/Base Gain hFE Min:33
Collector Cut-Off Current (Icbo)500nA
Collector-Emitter Breakdown Voltage50V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:-50 V
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)50V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)300mV@500uA, 10mA
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)0.1

Техническая документация