DTA014YUBTL PNP Resistor-equipped Transistor, -100 mA 50 V 10 kΩ, Ratio Of 4.7, Single, 3-Pin SOT-323FL
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8028821471
- Артикул
- DTA014YUBTL
- Бренд
- Rohm
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.05
- Серия
- DTA014YUB
- Package Type
- SOT-323FL
Цена по запросу
(от 26 ₽)
Минимальный заказ: 250 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Оснащенные резисторами биполярные транзисторы, также известные как “Цифровые транзисторы” или “Транзисторы с сопротивлением смещения”, включают в себя один или два встроенныx резистора.
Технические параметры
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.05 |
| Серия | DTA014YUB |
| Package Type | SOT-323FL |
| Корпус | sot-323 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Type | PNP |
| Структура | pnp |
| Base-Emitter Resistor | 47kΩ |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Typical Input Resistor | 10 kΩ |
| Typical Resistor Ratio | 4.7 |
| Minimum DC Current Gain | 80 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 200 mW |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | UMT-3F-3 |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 50 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
| Выходное напряжение | 0.07 V |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Другие названия товара № | DTA014YUB |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Максимальная рабочая частота | 250 MHz |
| Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
| Типичное входное сопротивление | 10 kOhms |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Пиковый постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 100 mA |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Типичный коэффициент деления резистора | 4.7 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 80 |