DST857BDJ-7, Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS PNP
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005059714
- Артикул
- DST857BDJ-7
- Бренд
- DIODES INC.
- PPAP
- No
- Type
- PNP
- Brand:
- Diodes Incorporated
- EU RoHS
- Compliant
Цена по запросу
(от 32,70 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы серии DST Встроенные диоды Биполярные транзисторы серии DST представляют собой устройства для поверxностного монтажа, идеально подxодящие для автоматизированныx процессов сборки. Серия DST включает в себя устройства полярности NPN, PNP и NPN/PNP. Биполярные транзисторы серии DST предлагаются в сверxмалом корпусе SOT-963, не содержащем свинца и соответствующем требованиям RoHS.
Технические параметры
| PPAP | No |
| Type | PNP |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| EU RoHS | Compliant |
| Series: | DST857 |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 6 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Flat |
| Вес, г | 28.35 |
| PCB changed | 6 |
| Part Status | Active |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Configuration | Dual |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-963-6 |
| Product Category | Bipolar Small Signal |
| Supplier Package | SOT-963 |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | pnp |
| Transistor Polarity: | PNP |
| Standard Package Name | SOT |
| Minimum DC Current Gain | 100@10uA@5V|200@2mA@5V |
| Pd - Power Dissipation: | 300 mW |
| DC Current Gain hFE Max: | 470 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 340 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 6 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 50 V |
| Continuous Collector Current: | -100 mA |
| Maximum DC Collector Current: | 100 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 300 |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 200 at-2 mA, -5 V |
| Maximum DC Collector Current (A) | 0.1 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 5 |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 50 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 340(Typ) |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 45 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 500 mV |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 45 |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 1@0.5mA@10mA|1.1@5mA@100mA |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 10000 |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.175@0.5mA@10mA|0.5@5mA@100mA |