Моя заявка (0)

DSS60601MZ4-13, 60V 1.2W 120@1A,2V 6A NPN SOT-223 BIpolar TransIstors - BJT

DSS60601MZ4-13, 60V 1.2W 120@1A,2V 6A NPN SOT-223 BIpolar TransIstors - BJT

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025170723
Артикул
DSS60601MZ4-13
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Series:
DSS60
Вес, г
0.24
Technology:
Si
Цена по запросу
(от 60,79 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Series:DSS60
Вес, г0.24
Technology:Si
Subcategory:Transistors
КорпусSOT-223
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-223-4
Transistor TypeNPN
Product Category:Bipolar Transistors-BJT
Структураnpn
Transistor Polarity:NPN
Collector Current (Ic)6A
Power Dissipation (Pd)1.2W
Pd - Power Dissipation:1.2 W
DC Current Gain hFE Max:150 at 500 mA, 2 V
Transition Frequency (fT)100MHz
Gain Bandwidth Product fT:100 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO:6 V
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)120@1A, 2V
Collector- Base Voltage VCBO:100 V
Maximum DC Collector Current:6 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
DC Collector/Base Gain hfe Min:50 at 6 A, 2 V
Collector Cut-Off Current (Icbo)100nA
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:60 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:300 mV
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)60V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2500
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)300mV@600mA, 6A
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)6