DSS60600MZ4-13, Транзистор биполярный BJT 100 нА 60 В 1,2 Вт 120 при 1 А, 2 В 6 А 100 МГц 90 мВ при 2 А, 200 мА PNP -55°C+150°C@(Tj) SOT-223
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8020311840
- Артикул
- DSS60600MZ4-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Вес, г
- 0.11
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- Transistors
Цена по запросу
(от 150 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Вес, г | 0.11 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | SOT-223 |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Package/Case: | SOT-223-4 |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | pnp |
| Transistor Polarity: | PNP |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Pd - Power Dissipation: | 2 W |
| DC Current Gain hFE Max: | 360 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 100 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 7 V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 100 V |
| Maximum DC Collector Current: | 6 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| DC Collector/Base Gain hFE Min: | 120 |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 60 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 350 mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 100 |