Моя заявка (0)

DSS5540X-13, Trans GP BJT PNP 40V 4A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

DSS5540X-13, Trans GP BJT PNP 40V 4A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001122180
Артикул
DSS5540X-13
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Series:
DSS55
Вес, г
1
Technology:
Si
Цена по запросу
(от 37 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор PNP, биполярный, 40В, 4А, 900мВт, SOT89 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид PNP

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Series:DSS55
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
КорпусSOT-89/TO-243
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-89-3
Product Category:Bipolar Transistors-BJT
Структураpnp
Transistor Polarity:PNP
Pd - Power Dissipation:900 mW
Gain Bandwidth Product fT:60 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO:6 V
Collector- Base Voltage VCBO:40 V
Continuous Collector Current:-4 A
Maximum DC Collector Current:4 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
DC Collector/Base Gain hfe Min:250 at-500 mA, -2 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:40 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:165 mV
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2500
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)4

Техническая документация