DSS5240T-7, Trans GP BJT PNP 40V 2A 730mW 3-Pin SOT-23 T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001290905
- Артикул
- DSS5240T-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series:
- DSS52
- Вес, г
- 1
- Power - Max
- 600 mW
Цена по запросу
(от 22 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: PNP, биполярный, 40В, 2А, 730мВт, SOT23 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид PNP
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series: | DSS52 |
| Вес, г | 1 |
| Power - Max | 600 mW |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | SOT-23(TO-236) |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Transistor Type | PNP |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | pnp |
| Transistor Polarity: | PNP |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Pd - Power Dissipation: | 600 mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 100 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 40 V |
| Maximum DC Collector Current: | 2 A |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 350mV @ 200mA, 2A |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA(ICBO) |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 40 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 350 mV |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 210 @ 1A, 2V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 2 |