Моя заявка (0)

DSS5220V-7, 20V 600mW 155@1A,2V 2A PNP SOT-563 BIpolar TransIstors - BJT

DSS5220V-7, 20V 600mW 155@1A,2V 2A PNP SOT-563 BIpolar TransIstors - BJT

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062515636
Артикул
DSS5220V-7
Бренд
DIODES INC.
Вес, г
0.06
Длина
1.6 mm
Серия
DSS52
Высота
0.6 mm
Цена по запросу
(от 41,34 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT LOW VCE(SAT) PNP SMT

Технические параметры

Вес, г0.06
Длина1.6 mm
СерияDSS52
Высота0.6 mm
Ширина1.2 mm
Transistor TypePNP
Структураpnp
Вид монтажаSMD/SMT
Collector Current (Ic)2A
Power Dissipation (Pd)600mW
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Transition Frequency (fT)150MHz
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокSOT-563-6
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)155@1A, 2V
Collector Cut-Off Current (Icbo)100nA
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)20V
Полярность транзистораPNP
Pd - рассеивание мощности600 mW
Размер фабричной упаковки3000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)390mV@200mA, 2A
Непрерывный коллекторный ток2 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)20 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)2
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.20 V
Максимальный постоянный ток коллектора2 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер80 mV
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.220 at 1 mA at 2 V
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)220
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)150 MHz