Моя заявка (0)

DSS5220T-7, Bipolar Transistors - BJT 20V PNP Low Sat Transistor

DSS5220T-7, Bipolar Transistors - BJT 20V PNP Low Sat Transistor

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005059703
Артикул
DSS5220T-7
Бренд
DIODES INC.
Вес, г
0.01
Transistor Type
PNP
Структура
pnp
Технология
Si
Цена по запросу
(от 42,07 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT 20V PNP Low Sat Transistor

Технические параметры

Вес, г0.01
Transistor TypePNP
Структураpnp
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Collector Current (Ic)2A
Power Dissipation (Pd)1.2W
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Transition Frequency (fT)100MHz
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокSOT-23-3
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)225@500mA, 2V
Collector Cut-Off Current (Icbo)100nA
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)20V
Полярность транзистораPNP
Pd - рассеивание мощности1.2 W
Размер фабричной упаковки3000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)7 V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)250mV@100mA, 2A
Непрерывный коллекторный ток2 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)20 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.20 V
Максимальный постоянный ток коллектора3 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер225 mV
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)150
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)100 MHz

Техническая документация