Моя заявка (0)

DSS4540X-13, 100nA 40V 900mW 100@5A,2V 4A 70MHz 185mV@5A,500mA NPN -55°C~+150°C@(Tj) SOT-89-4 BIpolar TransIstors - BJT ROHS

DSS4540X-13, 100nA 40V 900mW 100@5A,2V 4A 70MHz 185mV@5A,500mA NPN -55°C~+150°C@(Tj) SOT-89-4 BIpolar TransIstors - BJT ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017630711
Артикул
DSS4540X-13
Бренд
DIODES INC.
Pin Count
3
Вес, г
0.09
Длина
4.6 mm (Max)
Серия
DSS45
Цена по запросу
(от 90 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT LOW VCE(SAT) NPN SMT

Технические параметры

Pin Count3
Вес, г0.09
Длина4.6 mm (Max)
СерияDSS45
Package TypeSOT-89
Высота1.6 mm (Max)
КорпусSOT-89/TO-243
Ширина2.6 mm (Max)
Mounting TypeSurface Mount
Transistor TypeNPN
Структураnpn
Вид монтажаSMD/SMT
Minimum DC Current Gain300
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
Transistor ConfigurationSingle
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Maximum Power Dissipation2 W
Maximum Operating Frequency70 MHz
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокSOT-89-3
Maximum DC Collector Current4 A
Maximum Emitter Base Voltage6 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Maximum Collector Base Voltage40 V
Maximum Collector Emitter Voltage40 V
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности2000 mW
Размер фабричной упаковки2500
Напряжение эмиттер-база (VEBO)6 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)40 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)4
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.40 V
Максимальный постоянный ток коллектора5 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер355 mV
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц70
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)70 MHz

Техническая документация