DSS45160FDB-7, Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transistor
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005059697
- Артикул
- DSS45160FDB-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Вес, г
- 0.01
- Вид монтажа
- SMD/SMT
- Тип продукта
- BJTs - Bipolar Transistors
- Конфигурация
- Dual
Цена по запросу
(от 122 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT SS Low Sat Transistor
Технические параметры
| Вес, г | 0.01 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | U-DFN2020-6 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | NPN, PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 405 mW |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V, 7 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 1 A, 1 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V, 60 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1.5 A, 1.5 A |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 170 at - 2 V at - 100 ma at - 2 V, 290 at 100 mA a |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 175 MHz |