DSS4160T-7, Trans GP BJT NPN 60V 1A 725mW 3-Pin SOT-23 T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001050329
- Артикул
- DSS4160T-7
- Бренд
- DIODES INC.
- PPAP
- No
- Type
- NPN
- Brand
- Diodes Incorporated
- Series
- DSS41
Цена по запросу
(от 13 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Trans GP BJT NPN 60V 1A 725 МВт 3-контактный SOT-23 T/R
Технические параметры
| PPAP | No |
| Type | NPN |
| Brand | Diodes Incorporated |
| Series | DSS41 |
| EU RoHS | Compliant |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 1 |
| Серия | DSS41 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Subcategory | Transistors |
| Manufacturer | Diodes Incorporated |
| Product Type | BJTs-Bipolar Transistors |
| Корпус | SOT-23(TO-236) |
| Configuration | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-23-3 |
| Product Category | Bipolar Small Signal |
| Supplier Package | SOT-23 |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity | NPN |
| Технология | Si |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Standard Package Name | SOT-23 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Minimum DC Current Gain | 250 1mA 5V|100 1A 5V|200 500mA 5V |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Gain Bandwidth Product FT | 150 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Collector- Base Voltage VCBO | 80 V |
| Maximum DC Collector Current | 2 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 725 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 1 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 5 |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 80 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 150(Min) |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 60 V |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 280 mV |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 60 |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 1.1 50mA 1A |
| Полярность транзистора | NPN |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.15 50mA 500mA|0.28 100mA 1A|0.115 1mA 100mA |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 280 mV |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 150 MHz |