DSS4160DS-7, Bipolar Transistors - BJT NPN, NPN 60Vceo 1A 1.1W 200Hfe 150MHz
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8007726546
- Артикул
- DSS4160DS-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Вес, г
- 0.02
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- Transistors
Цена по запросу
(от 100 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Вес, г | 0.02 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Package/Case: | SOT-26-6 |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Pd - Power Dissipation: | 1.1 W |
| Gain Bandwidth Product fT: | 220 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 80 V |
| Continuous Collector Current: | 1 A |
| Maximum DC Collector Current: | 1 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| DC Collector/Base Gain hFE Min: | 250 at 1 mA, 5 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 60 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 100 mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 150 |