DSS3515M-7B, Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transisto X1-DFN1006-3,10K
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005059689
- Артикул
- DSS3515M-7B
- Бренд
- DIODES INC.
- Вес, г
- 1
- Серия
- DSS35
- Вид монтажа
- SMD/SMT
- Тип продукта
- BJTs - Bipolar Transistors
Цена по запросу
(от 45,95 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT SS Low Sat Transisto X1-DFN1006-3,10K
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Серия | DSS35 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | DFN1006-3 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 250 mW |
| Размер фабричной упаковки | 10000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 500 mA |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 15 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 15 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 250 mV |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 90 at - 500 mA, - 2 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 340 MHz |