DSS30101L-7, 30V 600mW 300@500mA,5V 1A NPN SOT-23-3 BIpolar TransIstors - BJT
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070105741
- Артикул
- DSS30101L-7
- Бренд
- DIODES INC.
- PPAP
- No
- Type
- NPN
- EU RoHS
- Compliant
- Mounting
- Surface Mount
Цена по запросу
(от 47,09 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT NPN SURFACE MT TRAN
Технические параметры
| PPAP | No |
| Type | NPN |
| EU RoHS | Compliant |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 0.06 |
| Серия | DSS30 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Корпус | SOT-23(TO-236) |
| Configuration | Single |
| Product Category | Bipolar Small Signal |
| Supplier Package | SOT-23 |
| Структура | npn |
| Технология | Si |
| Standard Package Name | SOT |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Minimum DC Current Gain | 300@50mA@5V|300@0.5A@5V|200@1A@5V |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 600 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 1 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 5 |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 50 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 250(Typ) |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 30 |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 1.1@100mA@1A |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 600 mW |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.075@1mA@0.1A|0.125@50mA@0.5A|0.2@100mA@1A |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 1 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 30 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 200 mV |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 at 1 A, 5 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 250 MHz |