Моя заявка (0)

DPLS350E-13, 100nA 50V 1W 100@2A,2V 3A 100MHz 300mV@2A,200mA PNP -55°C~+150°C@(Tj) SOT-223-4 BIpolar TransIstors - BJT ROHS

DPLS350E-13, 100nA 50V 1W 100@2A,2V 3A 100MHz 300mV@2A,200mA PNP -55°C~+150°C@(Tj) SOT-223-4 BIpolar TransIstors - BJT ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062590216
Артикул
DPLS350E-13
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Series:
DPLS350
Вес, г
1.48
Technology:
Si
Цена по запросу
(от 72,17 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Series:DPLS350
Вес, г1.48
Technology:Si
Subcategory:Transistors
КорпусSOT-223
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-223-4
Product Category:Bipolar Transistors-BJT
Структураpnp
Transistor Polarity:PNP
Pd - Power Dissipation:1 W
Gain Bandwidth Product fT:100 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO:6 V
Collector- Base Voltage VCBO:60 V
Maximum DC Collector Current:3 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:50 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:300 mV
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2500
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)3
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц100

Техническая документация