DNBT8105-7, Транзистор: NPN; биполярный
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017546602
- Артикул
- DNBT8105-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand
- Diodes Incorporated
- Series
- DNBT8
- Packaging
- Cut Tape or Reel
- Pin Count
- 3
Цена по запросу
(от 18,03 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT 1A
Технические параметры
| Brand | Diodes Incorporated |
| Series | DNBT8 |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.01 |
| Длина | 2.9 mm |
| Серия | DNBT8 |
| Subcategory | Transistors |
| Manufacturer | Diodes Incorporated |
| Package Type | SOT-23 |
| Product Type | BJTs-Bipolar Transistors |
| Высота | 1 mm |
| Ширина | 1.3 mm |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-23-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity | NPN |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Pd - Power Dissipation | 300 mW |
| Minimum DC Current Gain | 100 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Gain Bandwidth Product FT | 150 MHz |
| Maximum Power Dissipation | 600 mW |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Collector- Base Voltage VCBO | 80 V |
| Maximum DC Collector Current | 2 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| DC Collector/Base Gain Hfe Min | 30 at 2 A, 5 V |
| Maximum Collector Base Voltage | 80 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 60 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 60 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 500 mV |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 300 mW |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 500 mV |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 30 at 2 A, 5 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 150 MHz |