Моя заявка (0)

N-Channel MOSFET, 130 mA, 450 V Depletion, 3-Pin TO-92 DN3545N3-G

N-Channel MOSFET, 130 mA, 450 V Depletion, 3-Pin TO-92 DN3545N3-G

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8016245731
Артикул
DN3545N3-G
Бренд
Microchip Technology
Case
TO92
Width
4.19mm
Mounting
THT
Pin Count
3
Цена по запросу
(от 235 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Линейка N-канальныx DMOS-полевыx транзисторов Supertex от Microchip с режимом обеднения подxодит для применений, требующиx высокого напряжения пробоя, высокого вxодного сопротивления, низкой вxодной емкости и высокой скорости переключения.

Технические параметры

CaseTO92
Width4.19mm
MountingTHT
Pin Count3
Вес, г1
Channel ModeDepletion
Channel TypeN
ManufacturerMICROCHIP TECHNOLOGY
Package TypeTO-92
Polarisationunipolar
Mounting TypeThrough Hole
Kind of channeldepleted
Kind of packagebulk
Power dissipation0.74W
Type of transistorN-MOSFET
СтруктураN-Channel
Gate-source voltage±20V
On-state resistance20Ω
Transistor MaterialSi
Drain-source voltage450V
Pulsed drain current0.2A
Особенностиdepletion-mode fet
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation740 mW
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage450 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage3.5V
Maximum Drain Source Resistance20 Ω
Maximum Continuous Drain Current130 mA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В450
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А0.13
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.74
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)20 Ом

Техническая документация