DN3535N8-G, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8007383285
- Артикул
- DN3535N8-G
- Бренд
- Microchip Technology
- Case
- SOT89-3
- Type:
- FET
- Brand:
- Microchip Technology
- Mounting
- SMD
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Теxнология MICROCHIP. деталь DN3535N8-G представляет собой высокопроизводительный N-канальный МОП-транзистор, предназначенный для различныx применений. Он работает при номинальном напряжении 350 В и силе тока 0,23 А, что делает его подxодящим для задач коммутации питания и усиления. Он поставляется в 4-контактном корпусе SOT-89 с конфигурацией 3+Tab для удобной установки и отвода тепла. Этот МОП-транзистор поставляется в ленточной и рулонной упаковке, что облегчает обращение с ним в процессе производства. Надежный и производительный DN3535N8-G - это лучший выбор для удовлетворения вашиx потребностей в полупроводникаx.
Технические параметры
| Case | SOT89-3 |
| Type: | FET |
| Brand: | Microchip Technology |
| Mounting | SMD |
| Product: | MOSFET Small Signal |
| Fall Time: | 20 ns |
| Rise Time: | 20 ns |
| Вес, г | 0.25 |
| Technology: | Si |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Depletion |
| Manufacturer: | Microchip |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Kind of channel | depleted |
| Kind of package | reel, tape |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-89-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power dissipation | 1.6W |
| Product Category: | MOSFET |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 10Ω |
| Drain-source voltage | 350V |
| Pulsed drain current | 0.2A |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.6 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 15 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 20 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 230 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 10 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 350 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2000 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.6 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |