DN3135 Type N-Channel Single MOSFETs, 72 mA, 350 V Depletion, 3-Pin SOT-89 DN3135N8-G
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8050839620
- Артикул
- DN3135N8-G
- Бренд
- Microchip Technology
- Type:
- FET
- Brand:
- Microchip Technology
- Product:
- MOSFET Small Signals
- Fall Time:
- 20 ns
Цена по запросу
(от 158,45 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Type: | FET |
| Brand: | Microchip Technology |
| Product: | MOSFET Small Signals |
| Fall Time: | 20 ns |
| Rise Time: | 15 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | sot-89 |
| Channel Mode: | Depletion |
| Manufacturer: | Microchip |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-89-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2000 |
| Особенности | depletion-mode fet |
| Pd - Power Dissipation: | 1.3 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 15 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 135 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 140 mS |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 35 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 350 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.5 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 350 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.73 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |