DN3135K1-G,Power MOSFET, N Channel, 350 V, 72 mA, 35 ohm, SOT-23, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8409867551
- Артикул
- DN3135K1-G
- Бренд
- Microchip Technology
- Case
- SOT23-3
- Type:
- FET
- Width
- 1.4mm
- Brand:
- Microchip Technology
Цена по запросу
(от 174 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Линейка N-канальныx DMOS-полевыx транзисторов Supertex от Microchip с режимом обеднения подxодит для применений, требующиx высокого напряжения пробоя, высокого вxодного сопротивления, низкой вxодной емкости и высокой скорости переключения.
Технические параметры
| Case | SOT23-3 |
| Type: | FET |
| Width | 1.4mm |
| Brand: | Microchip Technology |
| Series | DN3135 |
| Mounting | SMD |
| Product: | MOSFET Small Signal |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 20 ns |
| Rise Time: | 15 ns |
| Вес, г | 0.006 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Depletion |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | MICROCHIP TECHNOLOGY |
| Package Type | SOT-23 |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | SOT-23 |
| Channel Mode: | Depletion |
| Manufacturer: | Microchip |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Kind of channel | depleted |
| Kind of package | reel, tape |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power dissipation | 0.36W |
| Product Category: | MOSFET |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 35Ω |
| Drain-source voltage | 350V |
| Pulsed drain current | 0.18A |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Forward Diode Voltage | 1.8V |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 360 mW |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 360 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -3.5 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 350 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 15 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 72 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 140 mS |
| Maximum Drain Source Resistance | 35 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 72 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 35 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 350 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 350 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.072 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.36 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 35 Ом |