DN2625K4-G, Trans MOSFET N-CH Si 250V 1.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002187333
- Артикул
- DN2625K4-G
- Бренд
- Microchip Technology
- MSL
- MSL 3-168 hours
- Brand:
- Microchip Technology
- Series
- -
- FET Type
- N-Channel
Цена по запросу
(от 347 ₽)
Минимальный заказ: 250 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET, N-канальный, 250 В, 1,1 А, TO-252; Полярность транзистора: N-канальный; Постоянный ток стока Id: 1,1 А; Напряжение источника стока Vds: 250 В; Сопротивление включения Rds(on): 3,5 Ом; Тестовое напряжение Rds(on) Vgs:0 В; Пороговое напряжение Vgs:-; Мощность
Технические параметры
| MSL | MSL 3-168 hours |
| Brand: | Microchip Technology |
| Series | - |
| FET Type | N-Channel |
| Product: | MOSFET Small Signal |
| Packaging | Tape & Reel(TR) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Fall Time: | 20 ns |
| Rise Time: | 20 ns |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 1 |
| FET Feature | Depletion Mode |
| No. of Pins | 3Pins |
| Part Status | Active |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N Channel |
| Manufacturer | Microchip Technology |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Depletion |
| Manufacturer: | Microchip |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Range | DN2625 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | TO-252-3, DPak(2 Leads+Tab), SC-63 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-252-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Vgs(th) (Max) @ Id | - |
| Структура | N-Channel |
| Moisture Sensitive: | Yes |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Mounting | Surface Mount |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Transistor Case Style | TO-252(DPAK) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5Ohm @ 1A, 0V |
| Особенности | depletion-mode fet |
| Power Dissipation (Max) | - |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Drain Source Voltage Vds | 250V |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 7.04nC |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Continuous Drain Current Id | 1.1A |
| Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.04nC @ 1.5V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1000pF@2.5V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 10 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 1.1A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
| Id - Continuous Drain Current: | 1.1 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 100 mS |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 3.5 Ohms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1000pF @ 25V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 0V |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 70pF |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.1 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 1.1A(Tj) |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 250 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1.1 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |