N-Channel MOSFET, 1.1 A, 250 V Depletion, 8-Pin DFN DN2625DK6-G
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8753264311
- Артикул
- DN2625DK6-G
- Бренд
- Microchip Technology
- Width
- 5.1mm
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 1
- No. of Pins
- 8Pins
Цена по запросу
(от 880 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Микросxема DN2625 представляет собой МОП-транзистор с низкопороговым режимом разрядки (нормально включенный), использующий усовершенствованную вертикальную структуру DMOS.
Технические параметры
| Width | 5.1mm |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 1 |
| No. of Pins | 8Pins |
| Channel Mode | Depletion |
| Channel Type | N |
| Package Type | DFN |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Range | DN2625 Series |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Forward Diode Voltage | 1.8V |
| Transistor Case Style | DFN |
| Особенности | depletion-mode fet |
| Transistor Configuration | Single |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 7.04 nC @ 1.5 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 250 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Drain Source Resistance | 3.5 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 1.1 A |
| Drain Source Voltage Vds N Channel | 250V |
| Drain Source Voltage Vds P Channel | 250V |
| Continuous Drain Current Id N Channel | 1.1A |
| Continuous Drain Current Id P Channel | 1.1A |
| Drain Source On State Resistance N Channel | 3.5ohm |
| Drain Source On State Resistance P Channel | 3.5ohm |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.1 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 250 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1.1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |