Моя заявка (0)

DN2625DK6-G, Транзистор МОП n-канальный, 250В, 1,1А, QFN14, Канал обедненный

DN2625DK6-G, Транзистор МОП n-канальный, 250В, 1,1А, QFN14, Канал обедненный

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062586095
Артикул
DN2625DK6-G
Бренд
Microchip Technology
Width
5.1mm
Pin Count
8
Вес, г
0.69
No. of Pins
8Pins
Цена по запросу
(от 570 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Микросxема DN2625 представляет собой МОП-транзистор с низкопороговым режимом разрядки (нормально включенный), использующий усовершенствованную вертикальную структуру DMOS.

Технические параметры

Width5.1mm
Pin Count8
Вес, г0.69
No. of Pins8Pins
Channel ModeDepletion
Channel TypeN
Package TypeDFN
Mounting TypeSurface Mount
Product RangeDN2625 Series
Transistor MaterialSi
Forward Diode Voltage1.8V
Transistor Case StyleDFN
Transistor ConfigurationSingle
Operating Temperature Max150°C
Typical Gate Charge @ Vgs7.04 nC @ 1.5 V
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage250 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Drain Source Resistance3.5 Ω
Maximum Continuous Drain Current1.1 A
Drain Source Voltage Vds N Channel250V
Drain Source Voltage Vds P Channel250V
Continuous Drain Current Id N Channel1.1A
Continuous Drain Current Id P Channel1.1A
Drain Source On State Resistance N Channel3.5ohm
Drain Source On State Resistance P Channel3.5ohm

Техническая документация